Каталог товаров
Выберите модификацию товара.
Изображение
Товар добавлен в корзину.
Изображение товара
Кол-во:
Стоимость: Р-
Итого:  Р-
Товар добавлен к сравнению.

Добавлен к сравнению.

Новые 12-Гбит кристаллы LPDDR4 Samsung откроют путь к 6-Гбайт памяти смартфонов

10.09.2015

Объём оперативной памяти в старших смартфонах и планшетах потихоньку дополз до отметки 3 Гбайт. Пройдёт ещё год и эта отметка будет уверенно преодолена. При этом производителям памяти интересно ещё сильнее снизить себестоимость микросхем памяти, что можно достичь либо снижением масштаба техпроцесса, либо за счёт увеличения ёмкости кристалла. Второй путь даёт возможность быстрее осуществить желаемое и с меньшими затратами.

Так, ёмкость кристаллов "мобильной" памяти LPDDR постепенно выросла с 1 Гбит до 8 Гбит. В прошлом году компании SK Hynix и Samsung почти синхронно объявили о начале производства 8-Гбит кристаллов памяти LPDDR4 и двух- и четырёхкристальных сборок на их основе — микросхем LPDDR4 объёмом 2 Гбайт и 4 Гбайт. На днях компания Samsung установила новый индустриальный рекорд — представила 12-Гбит кристаллы памяти LPDDR4. Из двух и четырёх 12-Гбит кристаллов можно собирать микросхемы LPDDR4 объёмом 3 Гбайт и 6 Гбайт. Тем самым можно ожидать, что в следующем году появятся смартфоны и планшеты с 6 Гбайт оперативной памяти. Также нелишне вспомнить, что мобильные платформы Intel также поддерживают память LPDDR4, что позволит встраивать ёмкие микросхемы Samsung в планшеты и ноутбуки на платформах Intel.

При производстве новинок компания Samsung использует техпроцесс класса 20 нм, не раскрывая точную цифру техпроцесса. Новые микросхемы характеризуются скоростью передачи на один контакт на уровне 4266 Мбит/с — это в два раза больше, чем может позволить чисто компьютерная память стандарта DDR4-2133. Также 12-Гбит кристаллы на 30% быстрее сборок из 8-Гбит кристаллов и потребляют на 20% меньше энергии. Ждём в смартфонах.

Возврат к списку
Корзина 0 Сравнение0 Обратная связь
2311231